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高密度3D集成硅电容器

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行业新闻
2015/11/05
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【摘要】:
两年后推出的被动Integated连体基板(PICS)项目(由欧盟第七框架计划资助仪器致力于研究针对中小企业的利益提供资金),三个欧洲的中小企业,IPDiA,Picosun总部和SENTECH仪器以及CEA-LETI和FraunhoferIPMS的-CNT宣布这一计划期间所取得的重大技术成果。起步于2013年9月,太平洋岛国项目重点是开发沉积通过原子层沉积(ALD)和相关的工具(ALD批处理工具和

  两年后推出的被动Integated连体基板(PICS)项目(由欧盟第七框架计划资助仪器致力于研究针对中小企业的利益提供资金),三个欧洲的中小企业,IPDiA,Picosun总部和SENTECH仪器以及CEA-LETI和Fraunhofer IPMS的-CNT宣布这一计划期间所取得的重大技术成果。起步于2013年9月,太平洋岛国项目重点是开发沉积通过原子层沉积(ALD)和相关的工具(ALD批处理工具和蚀刻工具)创新的介电材料,使大量生产高密度和高电压的新技术3D沟槽式电容器目标,如医疗或航空高端市场。

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  电容器是每个电子模块中提供的关键组件。由中小企业IPDiA提供了集成的硅电容技术优于在稳定现有技术(使用陶瓷电容或钽基板)的温度,电压,耐老化性和可靠性,使构建高度集成和高性能的电子模块。

  该财团的三大技术成果主要有:1)提出了一种ALD批处理工具是由Picosun总部和Fraunhofer IPMS-CNT开发。它能够降低成本的所有权和高K电介质提供更好的均匀性和台阶覆盖到三维结构。凭借其论证,优化,经过生产验证的ALD工艺,是Picosun公司巩固其在集成电路,半导体,MEMS市场的技术领先者,从研发到生产系统中的位置。

  2)用于精确地蚀刻高K电介质,这是非常具体的材料的新方法,所表明的SENTECH与弗劳恩霍夫IPMS-CNT的帮助。其结果是,SENTECH具有获得在高k材料,其具有针对不同的应用,例如,高的兴趣领域的市场份额的电位LED,微机电系统,磁数据存储。

  3)两个新介质叠层被开发并集成到IPDiA 3D沟槽电容器用IPDiA,CEA-LETI和Fraunhofer IPMS-CNT。最初的规格得到满足和电气测量证明。在得到电容密度(> 500nF /平方毫米,在3.3V)和扩展工作电压(10V带150nF /平方毫米)的新纪录,它扩展IPDiA的,以满足特别是在医疗和航空领域目前的市场需求的能力。资格认证过程,在项目实施期间发起开展前期的可靠性研究,并会继续在未来数月。

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  在这些研发成果之上,PICS的另一主要目的是在这一新的集成电容技术的产业化。由于建立了合作伙伴关系,可制造性和财务存活率是确保通过开发针对大规模生产足够的工业工具。太平洋岛国的项目是所有三个中小企业成功和由欧盟资助仪“研究中小企业的利益”所带来的好处一个很好的例子。中小型企业能够把自己的研究的一部分从RTD表演创新的知识和尖端的技术工艺得到。该项目建成回答中小企业的具体需要和共同的目标是在各地设立新的IPDiA电容器技术要求及其商业开发的特定工具(ALD批处理工具和蚀刻)。

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